Punjač 65W GaN kućni brzi USB 32W PD 33W USB-C iPhone15 14 13 Samsung

Punjač 65W GaN kućni QC3.0 brzi USB 32W PD 33W USB-C iPhone 15, 14, 13 Samsung Huawei Xiaomi Quick Charge

Najnovija tehnologija Gallium Nitride (GaN) 65W brzi punjač
Vrsta punjača : zidni EU utikač
Napon AC 110-240v
Maksimalna izlazna snaga 65W
Podržan protokol brzog Qualcomp Quick 3.0 punjena na jednom od USB utora
USB utor podržava 5v 6A max. a kabel se kupuje po želji određene dužine
USB Type-C PD punjač 33W 9v/7.2A, 12v/5.4A, 20v/3.25A
-moguće punjenje Notebook ... no treba paziti na opterećenje i vrijeme punjenja
Pozadinsko osvjetljenje na oba USB utora
Kućište od NEGORIVE-teško zapaljive plastike
Nije original, već zamjenski kvalitetni punjač
po izboru... Bijeli ili Crni

cijena 12.98€
2kom je 24.9€
ako nije preuzimanje +pošta 3.2-4.2€
Tjedno uz put do Zg


Koje su prednosti GaN punjača
Budući da poluvodički materijal GaN ima mnogo prednosti u odnosu na silicij u pogledu energetske učinkovitosti, sve više i više tvrtki za pametne telefone radije uvodi punjač na bazi GaN-a. Što se tiče GaN punjača, koje prednosti GaN donosi punjaču od silicijskog? Evo glavnih zasluga zbog kojih GaN punjač nadmašuje:

Brže i učinkovitije punjenje snage
Kao što je spomenuto ranije, GaN ima širi pojasni opseg koji mu omogućuje provođenje viših napona od silicija. To također čini da punjač sa sjedištem u GaN-u posjeduje svojstvo učinkovitijeg prijenosa struje. To jest, GaN punjač koji koristi GaN materijal može brže provoditi više snage od punjača do uređaja.

Prema povezanom istraživanju, GaN je u stanju prenositi elektrone 1,000 puta učinkovitije od silicija. Stoga s punjačem GaN više ne morate čekati da se vaš pametni telefon ili laptop pune satima.
Mogućnost pružanja veće frekvencije prijenosa snage također povećava porast GaN-a na području brzog bežičnog punjenja energije.
U usporedbi sa silicijevim 1.12 eV, GaN ima širi opseg pojasa od 3.4 eV. Širi pojasni opseg GaN-a čini ga sposobnijim za održavanje viših napona i viših temperatura, kao i rukovanje većom snagom. Stoga GaN može pružiti mogućnosti veće frekvencije, veće rukovanje snagom, veću gustoću snage i veće ograničenje temperature.